PNY SOD102GBN/10660/3-BX

PNY SOD102GBN/10660/3-BX

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, fattore di forma: SO DIMM a 204 pin, velocità: 1333 MHz, specifica: PC3-10660, latenza: CL9. [cod. SOD102GBN/10660/3-BX]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

SOD102GBN/10660/3-BX

Linea prodotto PNY Optima
Tipo DRAM
Compatibilità PC
Fattore di forma SO DIMM a 204 pin
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - SO DIMM a 204 pin
Garanzia del produttore 10 anni di garanzia
Caratteristiche tecniche