PNY DIM104GBN/10660/3CBX

PNY DIM104GBN/10660/3CBX

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 4 GB, fattore di forma: DIMM a 240 pin, velocità: 1333 MHz, specifica: PC3-10660, latenza: CL9. [cod. DIM104GBN/10660/3CBX]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

DIM104GBN/10660/3CBX

Linea prodotto PNY Optima
Tipo DRAM
Formato DIMM a 240 pin
Capacità 4 GB
Compatibilità PC
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - DIMM a 240 pin
Caratteristiche tecniche