PNY KS2GBN16T800J-SB

PNY KS2GBN16T800J-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 2 GB: 2 x 1 GB, fattore di forma: SO-DIMM 200 pin, velocità: 800 MHz, specifica: PC2-6400. [cod. KS2GBN16T800J-SB]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

KS2GBN16T800J-SB

Linea prodotto PNY
Tipo DRAM
Compatibilità PC
Fattore di forma SO-DIMM 200 pin
Capacità 2 GB : 2 x 1 GB
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 2 x memoria - SO DIMM 200 pin
Caratteristiche tecniche