PNY KS4GBN08M1066E-SB

PNY KS4GBN08M1066E-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 4 GB: 2 x 2 GB, fattore di forma: SO DIMM a 204 pin, velocità: 1066 MHz, specifica: PC3-8500. [cod. KS4GBN08M1066E-SB]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

KS4GBN08M1066E-SB

Linea prodotto PNY
Tipo DRAM
Compatibilità PC
Fattore di forma SO DIMM a 204 pin
Capacità 4 GB : 2 x 2 GB
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 2 x memoria - SO DIMM a 204 pin
Caratteristiche tecniche