PNY S1GBN16T333N-SB

PNY S1GBN16T333N-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 1 GB, fattore di forma: SO-DIMM 200 pin, velocità: 333 MHz, specifica: PC2700. [cod. S1GBN16T333N-SB]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

S1GBN16T333N-SB

Linea prodotto PNY
Tipo DRAM
Compatibilità PC
Fattore di forma SO-DIMM 200 pin
Capacità 1 GB
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - SO DIMM 200 pin
Caratteristiche tecniche