PNY S2GBN16Q667F-SB

PNY S2GBN16Q667F-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 2 GB, fattore di forma: SO-DIMM 200 pin, velocità: 667 MHz, specifica: PC2-5300, latenza: CL5. [cod. S2GBN16Q667F-SB]

Prodotti suggeriti
Non ci sono offerte attive per PNY S2GBN16Q667F-SB. In base alla fascia di prezzo e alle caratteristiche del prodotto, pensiamo che tu possa trovare un’alternativa fra i seguenti prodotti:

Scheda tecnica

chiudi tutto
espandi tutto
Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

S2GBN16Q667F-SB

Linea prodotto PNY Premium
Tipo DRAM
Compatibilità PC
Fattore di forma SO-DIMM 200 pin
Capacità 2 GB
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - SO DIMM 200 pin
Garanzia del produttore 10 anni di garanzia
Caratteristiche tecniche