PNY SOD108GBN/12800/3-BX

PNY SOD108GBN/12800/3-BX

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, fattore di forma: SO DIMM a 204 pin, velocità: 1600 MHz, specifica: PC3-12800, latenza: CL11. [cod. SOD108GBN/12800/3-BX]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

SOD108GBN/12800/3-BX

Linea prodotto PNY Optima
Tipo DRAM
Formato SO DIMM a 204 pin
Compatibilità PC
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - SO DIMM a 204 pin
Caratteristiche tecniche