PNY KS4GBN08M1066E-SB

PNY KS4GBN08M1066E-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 4 GB, fattore di forma: SO DIMM 204-pin, velocità: 1066 MHz, specifica: PC3-8500. [cod. KS4GBN08M1066E-SB]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Marca

PNY

Modello

KS4GBN08M1066E-SB

Tecnologia DDR3
Capacità [GB] 4 GB
Formato 204-pin SO-DIMM
Senza buffer
Verifica integrità dati No