PNY S1GBN08Q667F-SB

PNY S1GBN08Q667F-SB

Memoria RAM prodotta da PNY, tipo: DRAM, dimensione: 1 GB, fattore di forma: SO DIMM 200-pin, velocità: 667 MHz, specifica: PC2-5300, latenza: CL5. [cod. S1GBN08Q667F-SB]

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Scheda tecnica

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Caratteristiche generali
Produttore

PNY

Modello

S1GBN08Q667F-SB

Linea prodotto PNY
Tipo DRAM
Formato SO DIMM 200-pin
Capacità 1 GB
Compatibilità PC
Tipo aggiornamento Generico
Slot compatibili 1 x memoria - SO DIMM 200-pin
Caratteristiche tecniche